本书系统探讨新型二维铁电材料α-In₂Se₃的制备、物性调控及其在下一代电子与光电器件中的应用。全书首先概述二维铁电材料的分类、表征与应用，聚焦α-In₂Se₃的两种堆垛结构（2H与3R），梳理相关研究进展与挑战；随后介绍采用物理气相沉积法（PVD）与机械剥离法制备二维2H相α-In₂Se₃的方法，并系统研究其层数依赖的铁电性、负微分效应及各向异性光响应；在此基础上，详细展示基于该材料构筑的铁电场效应晶体管（FeFET）在非易失性存储、多态存储及人工突触模拟方面的性能；进一步探究铁电极化与光电特性的耦合机理，实现光增强的极序调控及人工痛觉感受器等神经形态功能；最后，介绍基于2H相α-In₂Se₃的非易失铁电半导体结，展望该材料在低功耗存储、传感与类脑计算等领域的应用前景。
本书可为二维铁电材料的设计、物性探索及功能器件集成提供系统的理论依据和实验参考。